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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3139
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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