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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
17.6
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3077
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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