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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
81
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
81
读取速度,GB/s
19.1
12.7
写入速度,GB/s
13.1
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1460
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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