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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
16.1
写入速度,GB/s
2,622.0
10.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2479
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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