RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2479
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link