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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
66
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
66
读取速度,GB/s
11.2
11.4
写入速度,GB/s
8.1
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1604
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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