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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
44
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
20
读取速度,GB/s
11.2
18.7
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3287
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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