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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
6.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2873
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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