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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
18.1
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3733
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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