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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
18.5
写入速度,GB/s
8.1
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3787
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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