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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
18.3
写入速度,GB/s
8.1
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3615
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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