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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 44
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    21.8 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 21.8
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 17.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3788

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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