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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3595
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
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