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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 48
    左右 8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 1858

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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
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