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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2935
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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