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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.7
18.7
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3238
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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