RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3238
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link