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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3238
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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