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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
17.8
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3386
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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