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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
55
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
55
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2665
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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