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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
64
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
64
读取速度,GB/s
11.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2016
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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