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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3226
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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