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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2845
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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