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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2929
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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