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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
18.1
写入速度,GB/s
8.6
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3672
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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