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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
21.7
写入速度,GB/s
8.1
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3806
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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