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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
47
读取速度,GB/s
13.5
15.0
写入速度,GB/s
9.3
10.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2486
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
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