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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
11.2
20.1
写入速度,GB/s
8.1
18.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
4207
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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