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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 44
    左右 -76% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.5 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3377

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM的比较

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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