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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
11.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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