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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
16.6
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2893
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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