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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.2
13.6
写入速度,GB/s
8.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2418
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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