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Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB vs Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

总分
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Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

总分
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

差异 规格 评论

差异

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB 需要考虑的原因
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 49
    左右 -69% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 1,681.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 4200
    左右 4.05 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    3,204.9 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    1,681.5 left arrow 13.9
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    324 left arrow 3432

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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