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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2613
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
INTENSO 5641160 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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