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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
11.2
12.6
写入速度,GB/s
8.1
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2068
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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