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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 99
    左右 56% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 99
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 6.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 1386

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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