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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
15.4
写入速度,GB/s
8.1
10.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2892
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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