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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
16.6
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2605
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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