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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
71
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
71
读取速度,GB/s
11.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1767
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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