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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
36
读取速度,GB/s
11.2
13.8
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2550
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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