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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
36
读取速度,GB/s
11.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2489
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMP32GX3M4X1600C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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