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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
59
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
59
读取速度,GB/s
11.2
9.0
写入速度,GB/s
8.1
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2128
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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