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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
20.3
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3343
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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