RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3343
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link