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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
11.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3411
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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