RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
star star star star star
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 90
    左右 51% 更低的延时
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.6 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 90
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 1743

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
内存RAM