RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
90
Intorno 51% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
90
Velocità di lettura, GB/s
11.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
1743
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link