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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.1
19.8
写入速度,GB/s
7.8
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3687
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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