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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.1
19.7
写入速度,GB/s
7.8
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3834
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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