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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3672
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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